Η Intel παρουσίασε το πρώτο πρωτότυπο της μνήμης Z-Angle Memory (ZAM) που αναπτύσσει σε συνεργασία με την Saimemory, θυγατρική της Softbank. Όπως αναφέρει το WCCFTech, η εταιρεία δεν είχε κανένα λειτουργικό δείγμα στο Intel Connection Japan 2026, αλλά στην εκδήλωση συζητήθηκε η πιθανή εξοικονόμηση ενέργειας και θερμότητας της ZAM σε σχέση με την παραδοσιακή μνήμη υψηλού εύρους ζώνης (HBM), με την ελπίδα να προσελκύσει επιπλέον επενδύσεις και συνεργάτες. Καθώς όλοι αναζητούμε προσιτή μνήμη DDR, οι μεγάλοι κατασκευαστές κέντρων δεδομένων στον κόσμο έχουν αγοράσει όλη την HBM που μπορούν. Αυτό έχει οδηγήσει τους κατασκευαστές μνήμης να στρέψουν την παραγωγή τους προς την HBM, επηρεάζοντας την προμήθεια καταναλωτικών προϊόντων όπως DDR5 DIMMs και NVMe SSDs. Η Intel και η Saimemory ελπίζουν να αλλάξουν το σκηνικό αυτό στο μέλλον και να ανοίξουν νέες πηγές εσόδων για την Intel, η οποία ήταν σημαντικός παίκτης στην κατασκευή μνήμης μέχρι τη δεκαετία του 1980. Στην εκδήλωση της Intel στην Ιαπωνία έδωσαν το παρόν υψηλόβαθμα στελέχη της εταιρείας, συμπεριλαμβανομένου του CTO της Intel Government Technologies, Joshua Fryman, και του CEO της Intel Japan, Makoto Onho. Μαζί με εκπροσώπους της Saimemory, παρουσίασαν το νέο πρωτότυπο ZAM και τόνισαν τον μοναδικό σχεδιασμό του σε σύγκριση με τα παραδοσιακά προϊόντα μνήμης. Η κάθετα στοιβαγμένη μνήμη χρησιμοποιεί «διασυνδέσεις χαλκού z-angle», οι οποίες δρομολογούν τις συνδέσεις διαγώνια μέσα στο στοίβαγμα των τσιπ μνήμης. Αυτό, σύμφωνα με πληροφορίες, βελτιώνει τη θερμική αγωγιμότητα, επιτρέποντας τη δημιουργία ενός κεντρικού θερμικού πυλώνα μέσω των τσιπ μνήμης. Όπως περιγράφεται από το PCWatch, η ZAM έχει σχεδιαστεί για να ξεπεράσει τους θερμικούς περιορισμούς των παραδοσιακών σχεδίων επίπεδης μνήμης. Μέσω της κάθετης στοίβαξης και του θερμικού σχεδιασμού του, η ZAM μπορεί, σύμφωνα με πληροφορίες, να δημιουργήσει μονάδες μνήμης μεγαλύτερης χωρητικότητας από την HBM, με χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας και χαμηλότερες θερμοκρασίες λειτουργίας. Μπορεί ακόμη και να είναι φθηνότερη στην παραγωγή, αλλά μέχρι να τεθεί σε πλήρη παραγωγή, αυτή η ισχυρισμός παραμένει σε μεγάλο βαθμό ανεπιβεβαίωτος. Αν και η Intel αναφέρεται κυρίως ως επενδυτής της επιχείρησης, η ZAM θα αξιοποιήσει τις τεχνολογίες Next Generation DRAM Bonding (NGDB) της Intel, οι οποίες θα βοηθήσουν τη ZAM να γεφυρώσει το χάσμα μεταξύ της HBM και της πιο παραδοσιακής DRAM, λειτουργώντας παράλληλα με καλύτερη ενεργειακή απόδοση. «Η έναρξη της λειτουργίας έχει προγραμματιστεί για το πρώτο τρίμηνο του 2026, με πρωτότυπα το 2027 και εμπορευματοποίηση έως το 2030», αναφέρει η Intel. Αυτή η κίνηση αποτελεί επίσης ένα συνεχές σημάδι της απομάκρυνσης της Intel από την πρόσφατη εστίασή της στην καθαρή κατασκευή και της στροφής της προς περισσότερους χώρους σχεδιασμού. Οι εγκαταστάσεις κατασκευής της στις ΗΠΑ ελπίζουν να προσελκύσουν περισσότερους πελάτες για σχεδιασμό και κατασκευή από τρίτους, και η ZAM αποτελεί μια αντίστοιχη προσπάθεια αξιοποίησης των τεχνολογιών της Intel για την ανάπτυξη προϊόντων για άλλες εταιρείες. Όλα αυτά έρχονται μετά από μαζικές απολύσεις υπό τον νέο CEO, Lip Bu-Tan, ο οποίος δεν είχε τις καλύτερες δυνατές σχέσεις με τον Λευκό Οίκο, ο οποίος τελικά απέκτησε μερίδιο 10% στην Intel.
